Single-event transient effects on dynamic comparator in 28nm FDSOI CMOS technology - Télécom Paris
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2018

Single-event transient effects on dynamic comparator in 28nm FDSOI CMOS technology

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique

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https://telecom-paris.hal.science/hal-02287982

Soumis le : vendredi 13 septembre 2019-17:33:46

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Dates et versions

hal-02287982 , version 1 (13-09-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02287982 , version 1

Citer

Nilson Maciel, Elaine Crespo Marques, Lirida Naviner, Hao Cai. Single-event transient effects on dynamic comparator in 28nm FDSOI CMOS technology. Microelectronics Reliability, 2018, 88-90, pp.965-968. ⟨hal-02287982⟩

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