Communication Dans Un Congrès
Année : 2016
TelecomParis HAL : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://telecom-paris.hal.science/hal-02287892
Soumis le : vendredi 13 septembre 2019-17:28:03
Dernière modification le : mercredi 23 octobre 2024-10:30:04
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02287892 , version 1
Citer
Benjamin Coeffic, Jean-Marc Daveau, Gilles Gasiot, A.E. Pricco, S. Parini, et al.. Radiation Hardening Improvement of a SerDes under Heavy Ions up to 60 MeV.cm2/mg by Layout-Aware Fault Injection. Proceedings of IEEE Workshop on Silicon Errors in Logic - System Effects (SELSE), Mar 2016, Austin, Texas, United States. ⟨hal-02287892⟩
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