Robust Ultra-Low Power Non-Volatile Logic-in-Memory Circuits in FD-SOI Technology - Télécom Paris
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers Année : 2017

Robust Ultra-Low Power Non-Volatile Logic-in-Memory Circuits in FD-SOI Technology

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique

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Soumis le : vendredi 13 septembre 2019-17:10:11

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Dates et versions

hal-02287638 , version 1 (13-09-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02287638 , version 1

Citer

Hao Cai, You Wang, Lirida Naviner, Weisheng Zhao. Robust Ultra-Low Power Non-Volatile Logic-in-Memory Circuits in FD-SOI Technology. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2017, 64 (4), pp.847-857. ⟨hal-02287638⟩

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