Energy Efficient Magnetic Tunnel Junction Based Hybrid LSI Using Multi-Threshold UTBB-FD-SOI Device - Télécom Paris
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Energy Efficient Magnetic Tunnel Junction Based Hybrid LSI Using Multi-Threshold UTBB-FD-SOI Device

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://telecom-paris.hal.science/hal-02287632

Soumis le : vendredi 13 septembre 2019-17:09:54

Dernière modification le : mercredi 23 octobre 2024-10:30:04

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Dates et versions

hal-02287632 , version 1 (13-09-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02287632 , version 1

Citer

Hao Cai, You Wang, Lirida Naviner, Weisheng Zhao. Energy Efficient Magnetic Tunnel Junction Based Hybrid LSI Using Multi-Threshold UTBB-FD-SOI Device. Great Lakes Symposium on VLSI 2017 (GLSVLSI 17), May 2017, Banff, Canada. ⟨hal-02287632⟩

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