Transition from Screw-Type to Edge-Type Misfit Dislocations at InGaN/GaN Heterointerfaces - Équipe PM2E « Propriétés des matériaux pour les économies d’énergie » du CIMAP Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Crystals Année : 2023

Transition from Screw-Type to Edge-Type Misfit Dislocations at InGaN/GaN Heterointerfaces

Quantong Li
  • Fonction : Auteur
Albert Minj
Yunzhi Ling
  • Fonction : Auteur
Changan Wang
  • Fonction : Auteur
Siliang He
  • Fonction : Auteur
Xiaoming Ge
  • Fonction : Auteur
Chenguang He
Chan Guo
  • Fonction : Auteur
Jiantai Wang
  • Fonction : Auteur
Yuan Bao
  • Fonction : Auteur
Zhuming Liu
  • Fonction : Auteur

Résumé

We have investigated the interface dislocations in InxGa1−xN/GaN heterostructures (0 ≤ x ≤ 0.20) using diffraction contrast analysis in a transmission electron microscope. The results indicate that the structural properties of interface dislocations depend on the indium composition. For lower indium composition (up to x = 0.09), we observed that the screw-type dislocations and dislocation half-loops occurred at the interface, even though the former do not contribute toward elastic relaxation of the misfit strain in the InGaN layer. With the increase in indium composition (0.13 ≤ x ≤ 0.17), in addition to the network of screw-type dislocations, edge-type misfit dislocations were generated, with their density gradually increasing. For higher indium composition (0.18 ≤ x ≤ 0.20), all of the interface dislocations are transformed into a network of straight misfit dislocations along the <10–10> direction, leading to partial relaxation of the InGaN epilayer. The presence of dislocation half-loops may be explained by a slip on basal plane; formation of edge-type misfit dislocations are attributed to punch-out mechanism.
Fichier principal
Vignette du fichier
crystals-13-01027-v2.pdf (5.72 Mo) Télécharger le fichier
Origine Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte

Dates et versions

hal-04166912 , version 1 (30-05-2024)

Licence

Identifiants

Citer

Quantong Li, Albert Minj, Yunzhi Ling, Changan Wang, Siliang He, et al.. Transition from Screw-Type to Edge-Type Misfit Dislocations at InGaN/GaN Heterointerfaces. Crystals, 2023, 13 (7), pp.1027. ⟨10.3390/cryst13071027⟩. ⟨hal-04166912⟩
8 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Mastodon Facebook X LinkedIn More